· 求人内容 · 当社では、SiやSiCのパワーMOS、IGBTなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強(大口径化や生産委託)などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。 · 他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造 ...

· 求人内容 · 【担当技術】SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア · 【担当業務】SiCエピタキシャル成長装置立ち上げ、プロセス条件出し、量産化 · 【担当職場】自社前工程国内拠点 · 資格 · 【必須要件】 · ・SiCエピタキシャル成長プロセス開発の従事経験が1年以上あること · ・英語:ビジネスレベル · ・日本語:ビジネスレベル · 【歓迎要件】 · ・4年制大学または大学院にて工学、化学、物理学等を修了していること · その他の情報 · SiCパワーデバイスは、脱炭素社会の実現に向けて重要となる自動車のEV化や産業機器のインバータ ...

· 求人内容 · ■ 担当技術分野 · ドライエッチング技術 · ■ 対象デバイス · 150mm~200mm(SiCパワーデバイス) · ■ 担当業務 · ・SiCパワーデバイス向けドライエッチング技術開発(装置選定導入/エッチング条件構築) · ・Siデバイス向けドライエッチング技術開発(装置選定導入エッチング条件構築等) · ・生産技術開発(生産性改善・歩留まり向上/コストダウン及びBCM推進等) · 資格 · 【必須要件】 · ・ドライエッチングプロセス開発/改善業務の経験を有する方 · ・英語:ビジネスレベル · ・日本語:ビジネスレベル · ...

· 求人内容 · ■ 担当技術分野 · リソグラフィー技術 · ■ 対象デバイス · 150mm~300mm製品全般(マイコン、Mixed-Signal、パワー デバイス) · ■ 担当業務 · ・SiCデバイス向けリソグラフィ技術開発(装置/材料/プロセス条件評価等) · ・Siデバイス向けリソグラフィ技術開発(装置/材料/プロセス条件評価等) · ・生産技術開発(生産性改善・歩留まり向上・コストダウン及びBCM推進等) · 資格 · 【必須要件】 · ・リソグラフィプロセスの業務経験を有する方 · ・英語:ビジネスレベル(が望ましい) · ・日本語 ...

· 求人内容 · 生産技術エンジニアとして、主に下記の業務をご担当頂きます。 · ・品質、コスト、生産性を考慮した量産プロセスの開発 · ・生産装置の立上げと条件出し · ・歩留改善、欠陥解析、プロセス課題への対応 · ・生産性改善に関わる評価と実行 · ・原価低減に関わる評価と実行 · ・より高い生産性を実現できる設備投資等の投資戦略立案と実行 · 資格 · 【必須要件】 · ・本募集職種、およびそれに類する業務経験を有する方 · ・関係部門を含め円滑なコミュニケーションを取る能力のある方 · ・半導体の拡散工程にかかわる、拡散、熱処理、低圧CVD、 ...