■ 担当技術分野
ドライエッチング技術
■ 対象デバイス
150mm~200mm(SiCパワーデバイス)
■ 担当業務
・SiCパワーデバイス向けドライエッチング技術開発(装置選定導入/エッチング条件構築)
・Siデバイス向けドライエッチング技術開発(装置選定導入エッチング条件構築等)
・生産技術開発(生産性改善・歩留まり向上/コストダウン及びBCM推進等)

【必須要件】
・ドライエッチングプロセス開発/改善業務の経験を有する方
・英語:ビジネスレベル
・日本語:ビジネスレベル

【歓迎要件】
・SiCパワーデバイスのドライエッチング(特にトレンチ形成)における使用設備の導入/評価やプロセス構築経験を有する方
・4年制大学または大学院にて工学、化学、または物理学等を修了しており、半導体工学の知識を有していること

自動運転技術の進展、産業機器のインテリジェンス化、社会インフラの堅牢性の重要化、そしてIoTを実現する次世代通信技術の浸透により、半導体製品の適用・応用範囲は広範に及び、当社製品に対する需要は急速に高まっています。その中で、プロセス加工技術部門は、ルネサスエレクトロニクスのドライエッチング技術やリソグラフィ技術の開発部門として、SiC/Siパワーデバイス・Mixed SignalそしてMCUの新デバイス向け加工プロセス開発及びルネサス生産工場向け生産技術開発(生産性改善・歩留まり向上・コストダウン及びBCM推進)をミッションとする部門です。現在当社では、パワーMOS、IGBT製品などの事業拡大を行っており、その中でも特に需要が急速に高まっているSiCを含むパワーデバイス向けの設備選定導入・プロセス開発及び既存生産ラインの生産能力向上に従事する、ドライエッチング技術者を募集します。

ルネサスは「人々の暮らしを楽(ラク)にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。 当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20,000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。 当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。