求人内容
■ 担当技術分野
リソグラフィー技術
■ 対象デバイス
150mm~300mm製品全般(マイコン、Mixed-Signal、パワー デバイス)
■ 担当業務
・SiCデバイス向けリソグラフィ技術開発(装置/材料/プロセス条件評価等)
・Siデバイス向けリソグラフィ技術開発(装置/材料/プロセス条件評価等)
・生産技術開発(生産性改善・歩留まり向上・コストダウン及びBCM推進等)
【必須要件】
・リソグラフィプロセスの業務経験を有する方
・英語:ビジネスレベル(が望ましい)
・日本語:ビジネスレベル
【歓迎要件】
・リソグラフィプロセス使用設備の導入/評価経験を有する方
・リソグラフィプロセス開発・改善経験を有する方
・4年制大学または大学院にて工学、化学、または物理学等を修了しており、半導体工学の知識を有していること
自動運転技術の進展、産業機器のインテリジェンス化、社会インフラの堅牢性の重要化、そしてIoTを実現する次世代通信技術の浸透により、半導体製品の適用・応用範囲は広範に及び、当社製品に対する需要は急速に高まっています。その中で、プロセス加工技術部門は、ルネサスエレクトロニクスのドライエッチング技術やリソグラフィ技術の開発部門として、SiC/Siパワーデバイス・Mixed SignalそしてMCUの新デバイス向け加工プロセス開発及びルネサス生産工場向け生産技術開発(生産性改善・歩留まり向上・コストダウン及びBCM推進)をミッションとする部門です。現在当社では、パワーMOS、IGBT製品などの事業拡大を行っており、その中でも特に需要が急速に高まっているSiCを含むパワーデバイス向けの設備選定導入・プロセス開発及び既存生産ラインの生産能力向上に従事する、リソグラフィー技術者を募集します。
ルネサスは「人々の暮らしを楽(ラク)にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。 当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20,000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。 当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。
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Hitachinaka Renesas Electronics フルタイム· 求人内容 · ■ 担当技術分野 · ドライエッチング技術 · ■ 対象デバイス · 150mm~200mm(SiCパワーデバイス) · ■ 担当業務 · ・SiCパワーデバイス向けドライエッチング技術開発(装置選定導入/エッチング条件構築) · ・Siデバイス向けドライエッチング技術開発(装置選定導入エッチング条件構築等) · ・生産技術開発(生産性改善・歩留まり向上/コストダウン及びBCM推進等) · 資格 · 【必須要件】 · ・ドライエッチングプロセス開発/改善業務の経験を有する方 · ・英語:ビジネスレベル · ・日本語:ビジネスレベル · ...
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Hitachinaka Renesas Electronics フルタイム· 求人内容 · 生産技術エンジニアとして、主に下記の業務をご担当頂きます。 · ・品質、コスト、生産性を考慮した量産プロセスの開発 · ・生産装置の立上げと条件出し · ・歩留改善、欠陥解析、プロセス課題への対応 · ・生産性改善に関わる評価と実行 · ・原価低減に関わる評価と実行 · ・より高い生産性を実現できる設備投資等の投資戦略立案と実行 · 資格 · 【必須要件】 · ・本募集職種、およびそれに類する業務経験を有する方 · ・関係部門を含め円滑なコミュニケーションを取る能力のある方 · ・半導体の拡散工程にかかわる、拡散、熱処理、低圧CVD、 ...
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Hitachinaka Renesas Electronics フルタイム· Job Description · 当社パワー半導体事業では、急成長するxEV市場向けのIGBTとPower MOSFETに注力し、旺盛な需要に対応するために生産能力を増強しています。 · これらに加えて、より高性能なSiC MOSFETを早期に市場に投入する予定です。 · 当社が保有する世界トップクラスのデバイス・プロセス技術エンジニアとともに、競合他社に勝る次世代SiCデバイス開発をリードできる人材を募集します。 · SiCパワーデバイス・プロセス開発、プロジェクトマネジメント · ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェク ...
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Hitachinaka Renesas Electronics フルタイム· 求人内容 · 当社では、SiやSiCのパワーMOS、IGBTなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強(大口径化や生産委託)などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。 · 他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造 ...
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Hitachinaka Renesas Electronics フルタイム· 求人内容 · 【担当技術】SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア · 【担当業務】SiCエピタキシャル成長装置立ち上げ、プロセス条件出し、量産化 · 【担当職場】自社前工程国内拠点 · 資格 · 【必須要件】 · ・SiCエピタキシャル成長プロセス開発の従事経験が1年以上あること · ・英語:ビジネスレベル · ・日本語:ビジネスレベル · 【歓迎要件】 · ・4年制大学または大学院にて工学、化学、物理学等を修了していること · その他の情報 · SiCパワーデバイスは、脱炭素社会の実現に向けて重要となる自動車のEV化や産業機器のインバータ ...
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Hitachinaka Renesas Electronics フルタイム· 求人内容 · IE(Industrial Engineering)エンジニアとして以下をご担当いただきます。 · 生産拠点エンジニアと連携してIE(Industrial Engineering)分析、OEE(Overall Equipment Effectiveness)分析等を行い、下記を推進する。 · 1生産装置の処理能力の検証、中長期的な能力改善施策の提案と実行。 · 2生産ライン作業人員数の妥当性検証、中長期的人員改善施策の提案と実行。 · 3製造コスト解析、検証、中長期的改善施策の提案と実行。 · 資格 · 【必須要件】 · ・半導体前工 ...
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Kasama AGC職務内容* · 製造現場に密着したプロセスエンジニアとして、国内外工場の化学品製造プラントでの以下の業務を行います。 · ・各製造プラントの安全・安定・効率的操業を実現するための運転員をマネジメントするプロセスエンジニア業務 · ・生産プロセス改善業務(合理化・プロセス改善投資の企画、予算・工程管理) · ・プロジェクト担当(新プラント立上業務等) など 専門性(専攻、経験等)* 【必須条件】 · ・大学又は大学院で化学工学、応用化学(有機・無機)、理学、農学、生物、機電等その他理系を専攻していた方 · 【歓迎条件】 · ・化学製品の製造に関する実務経 ...
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Moka Kobelco職務内容 · 製造所設立50年以上が経過する状況の下、中長期で設備の老朽化更新を実施していく必要があります。 · その中で、自動化、CN、DX、省エネ、品質向上等、様々な要素を踏まえ、更新プロジェクトを戦略的に · 実施していく必要性が増しており、人員を増強したいと考えております。お客様やステークホルダーに対し、より良い製品をお届けする為に、本プロジェクトを共に遂行してくださるエンジニアを募集しております。 · 真岡製造所 第一製造部 溶解室 · 海外からのアルミニウム地金に加え、国内、製造所内で発生するリサイクルアルミニウムを原料として、月50,000 ...
