化合物半導体を用いた電子・光デバイスの研究開発

3週間前

Kanagawa FUJITSU LIMITED(JAPAN)
  • JOB CATEGORY

R&D

  • 職種Role

ハードウェアエンジニア

  • 職務内容Job description

将来通信のキーデバイスであるGaN材料系高周波パワーアンプや、重要施設の監視・インフラ点検等に用いる高感度赤外線センサなど、化合物半導体を用いた電子・光デバイスの研究開発を行い、自社製品の高性能化と顧客訴求力向上に貢献する。

高周波パワーアンプについては、通信速度や電波到達距離を飛躍的に高めるための、高性能かつ省電力なトランジスタとその集積回路を開発する。

赤外線センサについては、入射する赤外線を高い効率で電気信号に変換する受光素子と、電気信号を増幅して画像として出力する読出回路と、その集積化技術を開発する。

  • 個人に期待する役割やミッションRoles and responsibilities

本ポジションは、材料レベルから半導体デバイスの研究開発を⾏い⾰新性能を達成することがミッションとなります。キーとなる部分の研究を単独で⾏う側⾯と、複数名のチームでデバイス/回路の試作を⾏う側⾯があります。材料/デバイスに対する深い洞察⼒と共に、新原理/新構造を創出する発想⼒に期待します。

  • 必須のキャリア、スキル、資格などBasic qualifications

以下の経験必須

・半導体デバイス開発(化合物半導体ならなお好ましい)

  • 歓迎するキャリア、スキル、資格などPreferred qualifications

以下の経験があること

・デバイスシミュレーション

・CAD

・高周波特性評価

・高周波実装

・回路設計

  • 語学力Language requirements

英語:日常会話レベル

  • 募集元企業名Corporate Name

富士通株式会社

  • 配属想定組織Unit

  • 備考Notes

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  • 勤務地Location

厚木研究所

厚木研究所

  • こだわり検索Preferred Conditions