仕事内容

■パワー半導体の研究開発
・AlN基板上のエピタキシャル成長技術の開発
・エピ成長した薄膜の解析
・Simulation等によるエピ構造やデバイス構造の工夫や改善提案
・富士の開発メンバーへの情報共有化、生産技術適用に向けた検討

会社が定める業務

・名古屋大学の世界トップクラスの研究者に囲まれた環境で自身の能力を研鑽できます。
・旭化成グループ内の事業部組織と連携することで、自身の研究成果を社会実装へと導く道のりを当事者として経験できます。

▼1~3年後
AlN基板を用いたパワー半導体の研究成果について対外発表を行い、この分野における第一人者としてご活躍いただきたいと考えています。
また、旭化成グループ内の研究開発テーマの方向性についてアイデアの創出や提案を行い、業務を推進いただけることを期待しています。
▼3~5年後
研究だけにとどまらず、その成果を社会実装するためのロードマップを提示し、旭化成グループにおけるパワー半導体研究開発を引っ張っていくリーダーとしてのご活躍を期待しています。

応募資格
大学院以上

MOCVDまたはMBEを用いた化合物半導体薄膜成長技術の経験(3年以上)

窒化物半導体薄膜成長または化合物半導体デバイスプロセスの経験

・現場作業安全に関連する資格(危険物取扱者、特化則、有機則など)

・自分自身で仮説を立て、それを検証するための手段を積極的に立案し、自ら推進できる方。
・協調性があり、関係部署メンバーとコミュニケーションしながら、周囲を巻き込んで業務遂行できる方。
・困難があっても、前向きに粘り強く課題に挑戦していける方。 雇用形態 正社員 契約期間 期間の定めなし(試用期間2か月、65歳定年制) 勤務地 愛知県名古屋市 / 地下鉄東山線 伏見駅
【就業場所の変更の範囲】会社が定める場所
【受動喫煙対策】敷地内喫煙可能場所あり≪年4月より敷地内全面禁煙/宴席中禁煙≫
【備考】名古屋大学C-TECsに設置されている「旭化成産学連携講座」にて勤務いただきます。 勤務時間 名古屋:08:30~17:15 休憩時間:12:00~13:00
フレックスタイム有り(コア無しフレックス)※ただし試用期間中は適用されません 所定時間外労働 あり 給与 【昇給】年1回
【賞与】年2回(年度賞与実績5.56ヶ月)
【諸手当】休日出勤手当、勤務地手当、通勤手当、家族手当 など
*参考資料*
総合職 ,円以上
(30歳標準 月給:,円 年収:6,,円)
(35歳標準 月給:,円 年収:7,,円)
※上記金額は手当・残業代を含みません。
経歴を考慮し当社規程により優遇します。詳しくは選考過程でご案内致します。 待遇 各種制度:寮・社宅(借り上げ社宅・寮含む)、持ち家支援、各種財産形成支援、自己啓発支援、海外留学、育児短時間勤務など
その他 :福祉共済会(共済生保・医療共済・がん保険・慶弔見舞金共済など)や各種福利厚生施設利用制度(スポーツクラブやホテル・旅館など)、各種福利が充実しており、安心して仕事が出来る仕組みが整っています。 休日・休暇 【休日】年間日前後
【休暇】週休2日制、祝日、年末年始、年次有給休暇など
特別休暇(忌引や結婚等)、家族看護休暇など
※詳しくは選考過程でご案内いたします。 加入保険 雇用保険・労災保険・厚生年金・健康保険

---