【仕事内容】

【職務内容】

エピタキシャル成長製造装置開発の成膜のプロセス開発を行っていただきます。

シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法(レシピ)の開発と測定機による評価

装置の開発、客先でのデモンストレーション、メンテナンス、トラブル対応

プロセスに関する客先でのプロセス仕様打合せ、装置立上、客先でのプロセス支援

※海外顧客の場合海外出張いただき、顧客先でレシピの調整を行います

【エピタキシャル成長製造装置の特徴】

• ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜
• 緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布
• 高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性

上記コア技術が実現することで高品質エピタキシャル成長層の形成を可能としております。

プロセス担当はこれらコア技術が顧客要望通り実現しているかを測定器などを使用して検証し、エラーの原因はレシピなのかハードなどかを突き詰め改善を行っていきます。

【業務で使用するツール】

測定機操作 (SEM、欠陥検査、膜厚、XRD等)

【入社...

【求める人材】

【必須】

・国内外への長期出張が可能な方

・エピ成膜に興味がある方

【歓迎】

・半導体の製造等において何らかの成膜経験がある方

・半導体製造装置(CVD装置)を使用した成膜経験がある方

・半導体製造装置(CVD装置)で使用されるガスや、真空装置の取り扱い経験がある方

・英語でのコミュニケーションが可能な方

【給与】

670万円~1500万円

※経験、能力等を考慮し、同社規定により支給いたします

【勤務地】

神奈川県

【勤務時間】

08:45~17:30

【雇用・契約形態】

【待遇・福利厚生】

厚生年金 健康保険(東芝健康保険組合) 雇用保険 労災保険 介護保険通勤手当全額支給、家族手当、役職手当、35歳までの独身借上社宅制度・世帯向け借上社宅制度有り、厚生施設、社内食堂、財形貯蓄制度、持株制度、退職金制度

【休日・休暇】

完全週休二日制(土日)、祝日、年次有給休暇(初年度 入社時1~19日(入社月による)※最大24日 繰り越し含め最大48日)、夏季休暇、特別休暇、育児・介護休暇制度